冯美鑫，2009年本科毕业于武汉大学物理学基地班，同年免试推荐到中国科学院半导体研究所读研，2014年获博士学位。2015年加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，现任研究员、硕士生导师，兼任纳米器件研究部副主任、党支部委员。入选了国家级青年人才（培养）、中国电子学会“青年人才托举工程”、江苏省“333高层次人才培养工程”、江苏省“科技副总”、江苏省“双创博士”、中国科学院苏州纳米所首届“优秀青年计划”、苏州市劳动模范、苏州工业园区劳动模范等。长期致力于宽禁带半导体氮化镓（GaN）基材料与器件研究，研制了国际首支室温电注入连续激射的GaN基微盘激光器、硅衬底GaN基激光器等，相关成果被国际半导体专业媒体Semiconductor Today等跟踪报道9次。主持承担了国家自然科学基金（3项）、国家重点研发计划子课题、中国科学院先导专项子课题、中国科学院国际合作项目、江苏省重点研发计划揭榜挂帅课题等国家省市各级科研任务，累计经费逾2000万元。在Nature Photonics、ACS Photonics和Photonics Research等国际期刊发表学术论文80余篇，申请国家发明专利39项（已授权23项）和PCT国际专利6项。 

　　冯美鑫是国家杰青孙钱研究员课题组的核心科研骨干。课题组前期培养的硕士生和博士生毕业后分别去美国耶鲁大学、美国密西根大学、美国弗吉尼亚理工、中国科技大学等国内外知名高校深造，或者去华为、武汉光迅、武汉新芯、华灿光电、华润微电子等知名企业工作。

　　欢迎对孙钱课题组感兴趣的同学将个人简历和本科成绩单及排名等材料电子版发到mxfeng2011@sinano.ac.cn，抄送xren2011@sinano.ac.cn，文件命名格式如下：姓名-学校及专业-简历；姓名-学校及专业-本科成绩单及排名。

　　招生（及招聘）方向：半导体材料与器件、材料物理、物理、光电子、微电子等。

　　宽禁带半导体氮化镓（GaN）基光电子材料与器件：激光器，微盘激光器，垂直腔面发射激光器，LED，Micro-LED，探测器，光电集成等。