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  研究队伍
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姓 名:
冯加贵
性    别:
职 务:
职    称:
项目研究员
学 历:
博士研究生
通讯地址:
苏州工业园区若水路398号
电 话:
0512-62872582
邮政编码:
215123
传 真:
电子邮件:
jgfeng2017@sinano.ac.cn
简历:

2007年毕业于武汉大学物理科学与技术学院,获理学学士学位。2013年毕业于中国科学院物理研究所获理学博士学位。2013年10月到2017年9月,先后在美国密西根州大学和英国圣安德鲁斯大学从事博士后研究。一直以来都在利用超高真空互联设备围绕着低维量子材料的设计和表征开展工作。在Nature Materials, Nano Letters, Phys.Rev.Lett., Phys.Rev.B, Scientific Reports等国际知名期刊发表学术论文多篇。世界首次在过渡金属硫化物中发现同一元素不同轨道之间的能带反转产生一系列体相拓扑态和表面拓扑态;世界首次发现单层VSe2薄膜的电荷密度波是增强的且没有理论计算中的铁磁性质。2017年10月入职苏州纳米所真空互联实验站。


研究领域:

主要研究方向是低维量子材料的物性研究和精准调控,以及其相关器件的开发研究。

社会任职:
 

获奖及荣誉:
 
代表论著:
近五年代表作:
1. Jiagui Feng* , Sunan Ding, Jiandong Guo, “Stable Adsorption of Single Gold Atoms on the SrTiO3(111)-(9 × 9) Reconstructed Surface” J. Phys. Chem. C 123,4866 (2019).
2. Jiagui Feng, Deepnarayan Biswas, Akhil Rajan, Matthew D. Watson, Federico Mazzola, Oliver J. Clark, Kaycee Underwood, Igor Markovic, Martin McLaren, Andrew Hunter, David M. Burn, Liam B. Duffy, Sourabh Barua, y Geetha Balakrishnan, Francois Bertran, Patrick Le Fevre, Timur K. Kim, Gerrit van der Laan, Thorsten Hesjedal, Peter Wahl, and Phil D. C. King*, “Electronic Structure and Enhanced Charge-Density Wave Order of Monolayer VSe2” Nano Letter 18,4493 (2018).
3. M. S. Bahramy*, O. J. Clark, B.-J. Yang, J. Feng, L. Bawden, J. M. Riley, I. Markovi′c, F. Mazzola, V. Sunko, D. Biswas, S. Cooil, M. Jorge, J. W. Wells, M. Leandersson, T. Balasubramanian, J. Fujii, I. Vobornik, J. Rault, T. K. Kim, M. Hoesch, G. Balakrishnan, K. Okawa, M. Asakawa, T. Sasagawa, T. Eknapakul, W. Meevasana, P. D. C. King*, “Ubiquitous formation of type-II Dirac cones, topological surface states, and topological surface resonances from p-orbital band inversions in transition-metal dichalcogenides”, Nature Materials 17, 21 (2018)
4. Jiagui Feng, Andrew Tan, Sean Wagner Jinyu Liu, Zhiqiang Mao, Xianglin Ke, and Pengpeng Zhang*, “Charge modulation and structural transformation in TaTe2 studied by scanning tunneling microscopy/spectroscopy”, Appl. Phys. Lett. 109, 021901 (2016).
5. Jiagui Feng, Sean R. Wagner and Pengpeng Zhang*, " Interfacial Coupling and Electronic Structure of Two-Dimensional Silicon Grown on the Ag (111) Surface at High Temperature", Nature scientific Reports 5, 10310 (2015).

承担科研项目情况:
 
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