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姓 名:
冯加贵
性    别:
职 务:
职    称:
项目研究员
学 历:
博士研究生
通讯地址:
苏州工业园区若水路398号
电 话:
0512-62872582
邮政编码:
215123
传 真:
电子邮件:
0512-62872582
简历:

2013年7月于中国科学院物理研究所获得博士学位。2013年10月至2015年10月在美国密西根州立大学从事博士后研究。 2015年12月至2017年8月在英国圣安德鲁斯大学任助理研究员。2017年10月入职中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所。

多年来,长期利用超高真空分子束外延设备,低温扫描隧道显微镜设备,角分辨光电子能谱设备,以及多个国际光源上的尖端前沿设备致力于低维强关联电子体系的材料制备和性能研究。在过渡金属氧化物,过渡金属硫化物,以及硅烯等材料的表界面性能研究和维度设计方面取得了突破性进展。 相关成果都发表在Nature Materials, Phys. Rev. Lett, Nature Scientific Reports, Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett., 等国际知名期刊上。


研究领域:

(1)低维强关联电子体系相关材料的制备和物性研究。 主要的材料制备设备有:MBE,MOCVD,PLD等。主要表征手段有:LT-STM, ARPES,UHV in situ four-probes transport measurement 等。

(2)多功能超导量子比特集成芯片的设计和性能测试。 主要涉及到的设备有:多功能超导材料MBE设备, 原位波导和约瑟夫森结的沉积设备以及极低温稀释致冷机超导量子比特集成芯片性能测试设备等。

社会任职:

获奖及荣誉:
代表论著:

承担科研项目情况:
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