2007年获得中国计量大学光信息科学与技术专业理学学士学位。2007-2013年在中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所硕博连读，获得中国科学院大学微电子学与固体电子学专业工学博士学位，期间从事基于氮化镓（GaN）材料体系的固态太赫兹光源器件研究工作，利用自行设计搭建的傅立叶光谱测试系统首次探测到基于光栅耦合的二维电子气太赫兹辐射。2013-2016年，留所加入硅基氮化镓半导体材料及器件团队从事博士后研究，专注于硅基氮化镓电子器件研发工作，具体研究硅衬底上基于超薄AlInN势垒层的高电子迁移率晶体管（HEMT）外延生长，获得国家自然科学基金（青年基金）资助。2016年正式入职中科院苏州纳米所，任助理研究员，期间成功研制出国内首支基于常规刻蚀技术的p-GaN栅极增强型HEMT，器件阈值电压达到1.1 V，开关比达到107，饱和输出电流达到350 mA/mm，且片内均匀性良好。2017年晋升为副研究员，进一步专攻硅基氮化镓增强型电力电子器件研发，对基于p型层再生长技术的GaN基增强型HEMT进行深入研究，目标将其推向真正的实用化。紧密围绕该目标，主持研发项目5项，包括中国科学院STS计划（专项研发与联合攻关服务）“硅基氮化镓增强型电力电子核心器件与产业化”、苏州市科技计划项目（前瞻性应用研究）“基于p-GaN再生长的GaN基增强型电力电子器件关键技术研究”等项目，并参与国家重点研发计划、国家自然科学基金重点项目等。发表论文13篇；申请专利12项，4项国际PCT专利，1项授权。参加国内外学术会议4次，其中，作学术会议口头报告2次，国际会议海报展览2次。

　　周宇是国家杰青孙钱研究员课题组的核心科研骨干。课题组前期培养的硕士生和博士生毕业后分别去美国耶鲁大学、美国密西根大学、美国弗吉尼亚理工、中国科技大学等国内外知名高校深造，或者去华为、武汉光迅、武汉新芯、华灿光电、华润微电子等知名企业工作。

　　欢迎对孙钱课题组感兴趣的同学将个人简历和本科成绩单及排名等材料电子版发到yzhou2008@sinano.ac.cn，抄送xren2011@sinano.ac.cn，文件命名格式如下：姓名-学校及专业-简历；姓名-学校及专业-本科成绩单及排名。

　　招生（及招聘）方向：半导体材料与器件、材料物理、物理、光电子、微电子等。

1、III族氮化物半导体材料外延生长；

2、硅基氮化物半导体电子器件研发。