刘建平，2004年6月在中科院半导体所获博士学位。2004年7至2006年9月在北京工业大学光电子技术实验室工作，2006年10月至2010年4 月在美国佐治亚理工学院电子与计算机工程系从事博士后研究，此后加入中科院苏州纳米所任研究员、博士生导师。一直从事GaN基材料与器件和MOCVD 技术研究，十多年以来致力于GaN基材料生长和高效LED、激光器、HEMT等的研发与产业化。主持国家重点研发计划课题、国家基金委重点项目、江苏省科研项目多项，研制出国内第一支室温连续工作的GaN绿光激光器和大功率蓝光激光器。在Light: Sci & Appl.、Nature Photonics、Appl. Phys. Lett.、Optical Express等国际期刊发表SCI收录论文100余篇。

1. 氮化物半导体材料与器件；
2. MOCVD外延生长。