专家人才
姓  名: 徐科
职  称: 研究员
学  历: 博士研究生
电  话:
通讯地址: 苏州工业园区若水路398号
电子邮件: kxu2006@sinano.ac.cn

简历:

  徐科,研究员、博士生导师。1988~1995年就读于西安交通大学,获本科、硕士学位,1998年于中科院上海光学精密机械研究所获博士学位并留所工作。1999~2004年在日本千叶大学光电子研究中心、JST工作,先后参加JSTS项目、JST超高速省电力高性能纳米器件/系统研发工作,2004回国任教于北京大学,2006年加入中科院苏州纳米所,历任测试分析平台主任、所长助理、副所长。2013年获得国家杰出青年基金资助,2015年入选科技部中青年科技领军人才。曾荣获“苏州工业园区首届科技领军人才”、“首届姑苏创新创业人才”、“江苏省双创人才”、第十三届中国科协“求是杰出青年奖”、苏州市创新创业市长奖,全国产学研合作创新成果奖,中国科学院国际合作青年科学家奖,江苏省优秀科技工作者,苏州市五一劳动奖章。
  曾任十二五科技部863新材料领域纳米主题专家,现任科技部战略先进电子材料专题组专家,中国电子学会高级会员、电子材料分会副主任委员,中国光学学会光学材料委员会副主任委员。
  
  研究工作:
  一直围绕高质量氮化物半导体材料生长开展工作,开展了与GaN晶格匹配的铝酸锂、镓酸锂单晶体生长研究,并在铝酸锂(100)衬底上用MOCVD方法外延生长出非极性m面GaN(1997年);系统研究了GaN的MOCVD和MBE生长机理,包括起始形核、氮化物的极性选择、极性控制;率先发现了极性对氮化铟(InN)生长的特殊影响,是国际上早期发现InN窄带隙的研究者之一;加入纳米所以来重点围绕氮化镓和氮化铝的单晶生长开展产业化研发工作;研制出GaN单晶衬底的HVPE生长系统,开发出2英寸单晶氮化镓衬底的生产工艺流程,相关成果转化创办了苏州纳维科技有限公司,产品全球用户超过300家,为多种氮化镓基高端器件的研发起到了重要支撑;围绕高质量氮化物材料,开展了相关物性和器件物理的研究,探索氮化物半导体的新应用;关于氮化镓单晶生长的研究工作入选国家自然科学基金委信息学部十二五优秀成果;组织团队发展纳米尺度空间分辨的综合光电测试技术,研制了多台套相关装备,在半导体中单个缺陷和低维结构的新奇物性研究中得到应用。发表SCI论文100余篇,申请专利50余项,国际会议特邀报告20余次,14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)大会共同主席。承担了国家自然科学基金的面上项目、重点项目、重大仪器研发项目,科技部973重大研究计划、863项目、科技部国际合作项目,中科院装备研制项目,江苏省重大科技成果转化专项、重点研发项目等,以及发改委战略新兴产业化示范项目等。

研究领域:

(1)III族氮化物材料的生长与材料物理研究,探索高质量氮化物单晶材料生长的新原理、新方法与新装备,致力于极低缺陷密度氮化物材料的生长;
(2)宽禁带半导体与二维材料的异质结构生长制备与物性研究,探索宽禁带材料与二维材料的表面、界面与量子体系中的新奇物性,发展新结构器件与材料制备新方法;
(3)围绕宽禁带半导体材料与器件、低维异质量子结构的物理研究,发展新的测试方法、技术与装备,支撑相关研究的可持续创新发展。

社会任职:

 

获奖及荣誉:

 

代表论著:

 

承担科研项目情况: