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姓 名:
董建荣
性    别:
职 务:
职    称:
研究员
学 历:
博士研究生
通讯地址:
苏州工业园区若水路398号
电 话:
0512-62872649
邮政编码:
215123
传 真:
电子邮件:
jrdong2007@sinano.ac.cn
简历:

  19891992年在西安电子科技大学获得半导体物理与器件专业学士和硕士学位,1996年在中科院半导体所获得半导体物理与器件专业博士学位。19963-19978月在中科院半导体所任助理研究员,1997-2008年在新加坡科研局材料研究院(IMRE)分别任研究助理和Research Scientist20076月加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,任研究员,博士生导师。多年来一直从事GaAsInP基化合物半导体材料MOCVD生长、材料表征及光电器件的研究工作,包括半导体量子阱激光器、红外探测器和化合物半导体多结光伏电池。承担了科技部国际合作项目、973课题、自然科学基金项目和中科院院地合作项目等多个项目。国际期刊上发表论文六十多篇,拥有发明专利三十多项。 


研究领域:

  1. AlGaAs量子阱大功率激光器 

  2. 多结光伏电池 

  3. 垂直腔面发射激光器 

社会任职:

获奖及荣誉:
代表论著:

承担科研项目情况:
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